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1.2kV SiC MOSFET器件URS应力退化机理研究

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  • 大小：2.7 MB
  • 语言：中文版
  • 格式： PDF文档
  • 类别：电力技术
关键词：器件   应力   退化   机理   研究
资源简介
  • 1.2kV SiC MOSFET器件URS应力退化机理研究,资料为PDF文档格式.
  • 本文档关键词:器件,应力,退化,机理,研究
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