书名:模拟集成电路的分析与设计(第4版)(翻译版)
作者:(美)Paul R.Gray Paul J.Hurst
出版日期:2005-6-1
简介:
本书为教育部高教司推荐国外优秀信息科学与技术系列教学用书之一。本书英文版第1版出版到现在已经有23年，期间模拟集成电路领域已经发展并成熟起来。本书第4版的翻译版,编写着重使教师更容易地讲解单纯的CMOS电路、单纯的双极电路、CMOS和双极结合在一起的电路，使学习者能更好地掌握两种电路的相似和不同处，在设计中使用更合适的电路。本书介绍模拟集成电路的分析与设计,全面阐述了模拟集成电路的基本原理和概念，同时还阐述了模拟集成电路的新技术和新发展。全书共12章。前7章介绍了集成电路放大器件模型，双极型、MOS和BiCMOS集成电路技术，单级及多级放大器，电流源和功率输出级，单端输出的运算放大器以及集成电路的频率响应，第8、9章介绍了放大电路的反馈，反馈放大器和频率响应的稳定性。第10章至12章介绍了非线性模拟电路，集成电路的噪声和全差分运算放大器。本书既可以作为研究生或高年级本科生的教科书，也可作为应用工程的参考书，同时又是一本比较全面、系统的模拟集成电路方面的专著。
目录:
目录
第一章 集成电路放大器件模型
1.1 引言
1.2 pn结的耗尽区
1.2.1 势垒电容
1.2.2 结击穿
1.3 双极型晶体管的大信号特性
1.3.1 正向线性区的大信号模型
1.3.2 集电极电压对放大区大信号特性的影响
1.3.3 饱和区和反向线性区
1.3.4 晶体管击穿电压
1.3.5 工作条件决定晶体管电流增益
1.4 双极型晶体管的小信号模型
1.4.1 跨导
1.4.2 基区寄生电容
1.4.3 输入电阻
1.4.4 输出电阻
1.4.5 双极型晶体管的基本小信号模型
1.4.6 集电极-基极电阻
1.4.7 小信号模型的寄生单元
1.4.8 晶体管频率响应特性
1.5 金属氧化物场效应晶体管的大信号特性
1.5.1 MOS管的转移特性
1.5.2 双极型晶体管和MOS晶体管工作区的比较
1.5.3 栅-源电压的分解
1.5.4 阈值的温度独立
1.5.5 MOS管电压限制
1.6 MOS晶体管的小信号模型
1.6.1 跨导
1.6.2 栅－源以及栅－漏间固有电容
1.6.3 输入电阻
1.6.4 输出电阻
1.6.5 MOS晶体管的基本小信号模型
1.6.6 体跨导
1.6.7 小信号模型的寄生单元
1.6.8 MOS晶体管的频率响应
1.7 MOS晶体管的短沟道效应
1.7.1 水平场中的速率饱和
1.7.2 跨导和特征频率
1.7.3 水平场中的迁移率下降
1.8 MOS晶体管中的亚反向
1.8.1 亚反向中的漏极电流
1.8.2 亚反向区中的跨导和特征频率
1.9 MOS晶体管中的衬底电流
A.1.1 有源器件参数列表
第二章 双极型、MOS和BiCMOS集成电路技术
