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基于标准CMOS工艺的低功耗射频电路设计

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关键词:射频   基于   工艺   标准   功耗
资源简介
基于标准CMOS工艺的低功耗射频电路设计
作 者: (西)艾尔瓦拉多 等著,黄水龙 等译
出版时间: 2013
内容简介
  在小型电池供电的手持设备中,低功耗是一个关键的性能指标。移动终端可选择集成的无线通信模块越来越多(包括GPS,蓝牙,GSM,3G,WiFi和DVB-H)。近年来,由于电池容量提升缓慢.每种模块总的可用功耗受到了限制,因此高效的电路显得相当重要。艾尔瓦拉多等人编著的《基于标准CMOS工艺的低功耗射频电路设计》展现了一些用于低功耗射频CMOS模拟电路设计的基本技术。书中给电路设计者提供了完整的替代电路准则以优化功耗,并且讲解了这些准则在最常见的射频模块如LNA,mixers和PLLs中的运用。《基于标准CMOS工艺的低功耗射频电路设计》运用了实际的案例并提供了独特的视角,这是因为它的读者是工作存有一定局限性的标准CMOS工艺下的设计者。
目录
第1章 简介
1.1 个人通信终端的最新进展
1.2 应用举例
1.3 下一代无线通信的频率分配
1.4 当前手持装置的共同需求:OFDM调制
1.5 低功耗RFIC设计
1.5.1 CMOS工艺
1.5.2 模拟电路低功耗设计技术
第2章 CMOS模拟射频电路中的功耗考虑
2.1 功耗来源
2.1.1 动态转换功耗
2.1.2 漏电流功耗
2.1.3 短路电流功耗
2.1.4 静态偏置功耗
2.2 功耗的限制
2.2.1 基本的限制因素
2.2.2 实际的限制因素
2.3 VDD等比例下降
2.3.1 阈值电压
2.3.2 亚阈值区域
2.3.3 MOS晶体管速度与带宽
2.3.4 模拟开关
2.3.5 晶体管堆叠
2.3.6 动态范围
2.3.7 功耗
参考文献
第3章 结构选择对射频前端功耗的影响
3.1 前端的挑战
3.1.1 镜像抑制
3.1.2 直流失调
3.1.3 I/Q失配
3.1.4 偶数阶失真
3.1.5 闪烁噪声(1/f噪声)
3.1.6 灵敏度和噪声系数
3.1.7 线性度
3.2 超外差结构
3.3 二次变频结构
3.4 镜像抑制(Hartley,Weaver)结构
3.4.1 Hartley结构
3.4.2 Weaver结构
3.5 直接变频接收机结构
3.5.1 零中频结构
3.6低中频结构
参考文献
第4章 低功耗模拟设计在标准CMOS
工艺下的工艺结构选择
4.1 阈值电压
4.1.1 多阈值电压晶体管
4.1.2 可变阈值晶体管
4.2 栅长等比例缩小
4.3 绝缘体上硅(SOI)
4.3.1 工艺描述
4.3.2 SOI技术在模拟电路中的优势
4.3.3 与CMOS体硅技术相比SOI技术面临的问题
4.3.4 射频电路中的SOI和IC设计
参考文献
第5章 射频电路低功耗设计技术
5.1 电流复用
5.1.1 工作原理
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