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三维集成电路设计

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关键词:三维   里斯   集成电路设计   2013   年版
资源简介
三维集成电路设计
作 者: (美)华斯利斯,(美)伊比 著,缪旻,于民,金玉丰 等译
出版时间: 2013
内容简介
  在21世纪的前十年结束时,基于三维集成技术的“超越摩尔定律”时代就悄然来临了。具备多个有源器件平面的三维集成电路(3一DIc),有望提供结构紧凑、布线灵活、传输高速化且通道数多的互连结构,从而为Ic设计者们提供突破“互连瓶颈”的有效手段,而且还能够有效集成各种异质材料、器件和信号处理形式,成为三维集成技术发展的主要方向之一。本书是世界上三维集成电路设计方面的第一本专著,既有一定的理论深度,又有较高的可读性。它系统、严谨地阐释了集成电路三维集成的设计技术基础,包括3一DIC系统的工艺、互连建模、设计与优化、热管理、3一D电路架构以及相应的案例研究,提出了可以高效率解决特定设计问题的解决方案,并给出了设计方面的指南。 本书是一本优秀的技术参考书,适用的读者范围包括:超大规模集成电路(VLSI)设计工程师,微处理器和系统级芯片的设计者以及相关电子设计自动化(EDA)软件的开发者,微机电及微系统集成方面的设计开发者,以及微电子行业中对未来技术走向高度敏感的管理者和投资者。本书也可以作为相关专业研究生的教材和教师的教辅参考书籍。
目录
译丛序 译者序 原书序 致谢 第1章导言 1.1从集成电路到计算机 1.2互连,一位老朋友 1.3三维或垂直集成  1.3.1三维集成的机遇  1.3.2三维集成面临的挑战 1.4全书概要 第2章3一D封装系统的制造 2.1三维集成 2.1.1系统级封装 2.1.2三维集成电路 2.2单封装系统 2.3系统级封装技术 2.3.1引线键合式系统级封装 2.3.2外围垂直互连 2.3.3面阵列垂直互连 2.3.4 SiP的壁面金属化 2.4 3一D集成系统的成本问题 2.5小结 第3章3-D集成电路制造技术 3.1单片3一D IC 3.1.1堆叠3-D IC 3.1.2 3-D鳍形场效应晶体管 3.2带硅通孔(TsV)或平面间过孔的3一D Ic 3.3非接触3一DIc  …… 第4章 互连预测模型 第5章 3一D Ic物理设计技术 第6章 热管理技术 第7章 双端互连的时序优化 第8章 多端互连的时序优化 第9章 三维电路架构 第10章 案例分析:3一DIc的时钟分配网络 第11章 结论 附录 参考文献
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