模拟电路设计：分立与集成
出版时间： 2017
内容简介
《国外电子与电气工程技术丛书·模拟电路设计：分立与集成》以半导体物理理论为基础，注重阐述模拟电路技术和BiCMOS技术，注重物理概念的诠释，强调模拟电路的分立和和集成设计。全书主要内容有：pn结二极管、双极型晶体管、MOS场效应晶体管、模拟集成电路构建、模拟集成电路、频率和时间响应、反馈、稳定性和噪声。《国外电子与电气工程技术丛书·模拟电路设计：分立与集成》适合作为电类专业本科生和相关专业的模拟电路教材。
目 录
出版者的话
译者序
前言
第1章 二极管和pn结1
1.1 理想二极管2
1.2 二极管的基本应用7
1.3 运算放大器与二极管的应用14
1.4 半导体18
1.5 平衡态的pn结23
1.6 空间电荷区外接偏置的影响26
1.7 pn结二极管方程28
1.8 反向偏置的pn结32
1.9 正向偏置二极管的特性34
1.10 pn结二极管电路的直流分析37
1.11 pn结二极管电路的交流分析43
1.12 击穿区工作状态49
1.13 直流电源54
总结57
附录1A58
参考文献59
习题59
第2章 双极型晶体管73
2.1 BJT的物理结构75
2.2 BJT的基本工作原理77
2.3 BJT的i-v特性85
2.4 工作区与BJT模型89
2.5 作为放大器/开关的BJT98
2.6 BJT的小信号工作状态102
2.7 放大器的BJT偏置设计109
2.8 基本双极型电压放大器114
2.9 双极型电压和电流缓冲器121
附录2A129
参考文献131
习题131
第3章 MOSFET146
3.1 MOSFET的物理结构147
3.2 阈值电压Vt149
3.3 n沟道MOSFET的特性155
3.4 MOSFET的i-v特性161
3.5 MOSFET在阻性直流电路中的应用169
3.6 MOSFET作为放大器/开关178
3.7 MOSFET的小信号工作状态183
3.8 基本MOSFET电压放大器188
3.9 MOSFET电压和电流缓冲器195
3.10 CMOS反相器/放大器198
附录3A203
参考文献205
习题205
第4章 模拟集成电路单元电路218
4.1 集成电路设计注意事项219
4.2 BJT的特性和改进模型224
4.3 MOSFET特性及其改进模型233
4.4 达林顿、共源共栅和级联结构242
4.5 差分对252
4.6 差分对的共模抑制比257
4.7 差分对的输入失调电压/电流262
4.8 电流镜266
4.9 带有源负载的差分对273
4.10 双极型输出级281
4.11 CMOS输出级286
附录4A289
参考文献290
习题290
第5章 模拟集成电路311
5.1 μA741运算放大器311
5.2 两级CMOS运算放大器319
5.3 折叠式共源共栅CMOS运算放大器324
5.4 电压比较器327
5.5 电流和电压基准332
5.6 电流模集成电路340
5.7 全差分运算放大器346
5.8 开关电容电路351
附录5A359
参考文献360
习题360
第6章 频率和时间响应368
6.1 高频BJT模型369
6.2 高频MOSFET模型374
6.3 共射/共源放大器频率响应377
6.4 差分放大器的频率响应384
6.5 双极型电压和电流缓冲器388
6.6 MOS电压和电流缓冲器393
6.7 开路时间常数分析397
6.8 共源共栅放大器的频率响应403
6.9 运算放大器频率和瞬态响应407
6.10 二极管开关瞬态414
6.11 BJT开关瞬态417
6.12 CMOS门电路和电压比较器瞬态响应423
附录6A431
参考文献435
习题436
第7章 反馈、稳定性和噪声446
7.1 负反馈基础447
7.2 反馈对失真、噪声、带宽的影响451
7.3 反馈结构和闭环I/O电阻457
7.4 实际结构和负载效应462
7.5 反馈比分析478
7.6 布莱克曼阻抗公式和注入方法486
7.7 负反馈电路的稳定性490
7.8 主极点补偿497
7.9 单片运算放大器的频率补偿501
7.10 噪声510
参考文献521
习题521
