半导体元件物理与制程理论与实务 （第3版）
出版时间 2011
内容简介
本书以深入浅出的方式，系统性地介绍目前主流半导体元件(CMOS)之元件物理与制程整合所必须具备的基础理论、重要观念与方法、以及先进制造技术。内容可分为三个主轴：第一至第四章涵盖目前主流半导体元件必备之元件物理观念、第五至第八章探讨现代与先进的CMOS IC之制造流程与技术、第九至第十二章则讨论以CMOS元件为主的IC设计和相关半导体制程与应用。由于强调观念与实用并重，因此尽量避免深奥的物理与繁琐的数学；但对于重要的观念或关键技术均会清楚地交代，并尽可能以直观的解释来帮助读者理解与想象，以期收事半功倍之效。本书宗旨主要是提供读者在集成电路制造工程上的 know-how 与 know-why；并在此基础上，进一步地介绍最新半导体元件的物理原理与其制程技术。它除了可作为电机电子工程、系统工程、应用物理、与材料工程领域的大学部高年级学生或研究生的教材，也可以作为半导体业界工程师的重要参考。本书内容足以提供连续两学期的半导体元件物理与制程技术的课程。若是一个一学期的课程，则教师可以使用第一章至第五章的内容来讲授半导体元件物理；或是使用第一章与第五至第八章的内容来讲授现代半导体制程技术。
