微电子器件
作者：曾云，杨红官 编
出版时间：2016年版
内容简介
本书共分为11童，其中，第1章介绍了半导体晶体的能带、结构和载流子分布规律；第2章和第3章描述了pn结二极管、变容二极管、隧道二极管、肖特基二极管和雪崩二极管的特性与工作机理：第4~6章详细地论述了晶体管的工作机理及其直流特性、频率特性、开关特性与功率特性；第7童给出了晶闸管的结构、原理及其导通、阻断、关断特性；第8章和第9章讲述了MOS场效应晶体管的结构、原理与特性，以及纳米级MOS器件，包括SOI结构、双栅结构、纳米线结构等；第10童论述了异质结双极晶体管、GaAs MESFET和高电子迁移率晶体管的工作原理和基本特性；第1 1套介绍了光电池、光敏晶体管和电荷耦合器件。本书可作为高等院校电子信息、电子科学与技术、光电信息科学与技术专业的本科生教材，教师可根据专业和课时要求选学部分章节。本书亦可作为相关专业科研人员和工程技术人员的参考用书。
目录
前言
教学建议
第1章微电子器件物理基础
1.1半导体的晶体结构与能带
1.1.1 半导体的晶体结构
1.1.2 半导体能带图
1.1.3 半导体品格缺陷
及其能级
1.2半导体中载流子的统计分布
1.2.1 状态密度函数与统计
分布函数
1.2.2 本征载流子
1.2.3 非本征载流子
1.3 半导体中载流子的输运规律
1.3.1 载流子的产生与复合
1.3.2 载流子的漂移运动
1.3.3 载流子的扩散运动
1.3.4 载流子的输运方程
习题
第2章 pn结二极管
2..1 pn结杂质浓度分布
2.2平衡pn结
2.2.1 空间电荷区
2.2.2 能带图
2.2.3 接触电势差 一
2.2.4 载流子浓度 一
2.3 pn结的空间电荷区电场
和电位分布
2.3.1 突变结
2.3.2 线性缓变结
2.3.3 耗尽层近似
2.4 pn结势垒电容
2.4.1 突变结势垒电容
2.4.2 线性缓变结势垒电容
2.5 pn结直流特性
2.5.1 非平衡载流子的注入
2.5.2 反向抽取
2.5.3 准费米能级和载流子浓度
2.5.4直流电流电压方程
2.5.5影响pn结直流特性的
其他因素
2.5.6温度对pn结电流和电压
的影响
2.6 pn结小信号交流特性与
开关特性
2.6.1 小信号交流特性
2.6.2 开关特性
2.7 pn结击穿特性
2.7.1 基本击穿机构
2.7.2 雪崩击穿电压
2.7.3 影响雪崩击穿电压的
因素
习题
第3章特殊二极管
3.1变容二极管
3.1.1 pn结电容
3.1.2 电容电压特性
3.1.3 变容二极管基本特性
3.1.4 特殊变容二极管
3.2 隧道二极管
第4章晶体管直流特性
第5章晶体管频率特性与开关特性
第6章晶体管功率特性
第7章晶闸管
第8章MOSFET
第9章纳米级MOS器件
第10章半导体异质结器件
第11章光电器件与电荷耦合器件
附录
参考文献
